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NEXPERIA PSMN1R0-30YLC,115

Name: PSMN1R0-30YLC,115
Brand: NEXPERIA
Rating: 4.8 (10 reviews)

NextPower technology LFPAK MOSFET

ブランド: NEXPERIA

製造元部品 #: PSMN1R0-30YLC,115

データシート: PSMN1R0-30YLC,115 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: LFPAK56, Power-SO8

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,532 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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PSMN1R0-30YLC,115 概要

Whether you are a seasoned engineer or a hobbyist looking to upgrade your projects, the PSMN1R0-30YLC,115 offers the performance and reliability you need. Its LFPAK package ensures easy installation and integration, while its logic level enhancement mode simplifies operation across different voltage levels. Backed by stringent quality testing and industry-leading design, this MOSFET is the smart choice for those seeking a versatile and dependable solution for their electronic needs

特徴

Low loss and fast switching MOSFETs
Wide operating temperature range ensured
High reliability for harsh environments

応用

Electric motor drives
HVAC systems
Off-grid power solutions

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Source Content uid	PSMN1R0-30YLC,115	Rohs Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	NEXPERIA
Part Package Code	SOIC	Package Description	PLASTIC, POWER, SOP-8, LFPAK56-4
Pin Count	4	Manufacturer Package Code	SOT669
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
Samacsys Manufacturer	Nexperia	Additional Feature	HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
Avalanche Energy Rating (Eas)	259 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	30 V
Drain Current-Max (ID)	100 A	Drain-source On Resistance-Max	0.0014 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	MO-235
JESD-30 Code	R-PSSO-G4	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	1450 A
Reference Standard	IEC-60134	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Product Status	Active	FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.15mOhm @ 25A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	1.95V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	103.5 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6645 pF @ 15 V	Power Dissipation (Max)	272W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	LFPAK56, Power-SO8	Package / Case	SC-100, SOT-669
Base Product Number	PSMN1R0

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