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注文金額が
$5000Infineon IRFB23N20DPBF
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
ブランド: Infineon Technologies Corporation
製造元部品 #: IRFB23N20DPBF
データシート: IRFB23N20DPBF Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: TO-220AB
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
IRFB23N20DPBF 概要
N-Channel 200 V 24A (Tc) 3.8W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-220AB
特徴
- RoHS Compliant
- Industry-leading quality
- Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
- Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
- Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| RHoS | yes | PBFree | yes |
| HalogenFree | yes | Manufacturer: | Infineon |
| Product Category: | MOSFET | RoHS: | Details |
| Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 24 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 100 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5.5 V |
| Qg - Gate Charge: | 57 nC | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | Pd - Power Dissipation: | 170 W |
| Channel Mode: | Enhancement | Packaging: | Tube |
| Brand: | Infineon Technologies | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 16 ns | Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Height: | 15.65 mm | Length: | 10 mm |
| Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 32 ns |
| Factory Pack Quantity: | 1000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | Width: | 4.4 mm |
| Unit Weight: | 0.068784 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
 |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
 |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
 |
ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET chip designed for high-speed switching and efficient power management applications. It has a drain-source voltage rating of 200V, a continuous drain current of 50A, and low on-resistance for improved performance. The chip utilizes advanced technology and features a compact design, making it suitable for various industrial and automotive applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the IRFB23N20DPBF chip include IRF1010E, IRF540N, IRF3205, and IRFB3077. -
Features
The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET transistor designed for high-performance switching applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching speed. It also has a built-in body diode for efficient freewheeling operation in inductive loads. -
Pinout
The IRFB23N20DPBF is a 3-pin power MOSFET. The pin count includes the gate (G), drain (D), and source (S). Its function is to control the flow of current between the drain and source terminals by the gate voltage, making it suitable for various switching applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the IRFB23N20DPBF is International Rectifier, which is a semiconductor company specializing in the design and production of power management technology. -
Application Field
The IRFB23N20DPBF is a power MOSFET typically used in applications such as motor control, power supply, and inverter circuits. -
Package
The IRFB23N20DPBF chip is in a TO-220AB package type, with a through-hole form. The package size measures approximately 10.6mm x 9.35mm x 4.57mm.
データシート PDF
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