このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

Infineon IRF9389TRPBF

Trans MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-Pin SOIC N T/R

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon Technologies Corporation

製造元部品 #: IRF9389TRPBF

データシート: IRF9389TRPBF Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: SO-8

製品の種類: FET, MOSFET Arrays

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,732 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

簡単な見積もり

RFQを提出してください IRF9389TRPBF またはメールでご連絡ください: メール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

IRF9389TRPBF 概要

The versatile IRF9389TRPBF power MOSFET transistor stands out for its exceptional power handling capabilities and performance characteristics. Whether used in industrial automation, motor control systems, or power supplies, this transistor delivers reliable operation and efficient power management. Its high drain-source voltage tolerance, combined with a continuous drain current rating of 12A, offers versatility and durability in demanding applications

特徴

  • Optimized for broadest availability from distribution partners
  • Super logic level : Optimized for 4.5 V gate drive voltage, capable of 2.5 V gate drive voltage
  • Reduced design complexity vs N-channel in high-side configuration
  • Easier interface to microcontroller vs N-channel
  • Industry standard surface-mount package
  • Capable of being wave-soldered

応用

  • DC motor drives
  • Battery powered applications

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
RHoS yes PBFree yes
HalogenFree yes Manufacturer: Infineon
Product Category: MOSFET RoHS: Details
Technology: Si Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SOIC-8 Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Number of Channels: 2 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Id - Continuous Drain Current: 6.8 A, 4.6 A Rds On - Drain-Source Resistance: 22 mOhms, 51 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.3 V
Qg - Gate Charge: 6.8 nC, 8.1 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Pd - Power Dissipation: 2 W
Channel Mode: Enhancement Tradename: HEXFET
Series: IRF939 Packaging: MouseReel
Brand: Infineon Technologies Configuration: Dual
Fall Time: 3.9 ns, 15 ns Forward Transconductance - Min: 8.2 S, 4.1 S
Height: 1.75 mm Length: 4.9 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 4.8 ns, 14 ns
Factory Pack Quantity: 4000 Subcategory: MOSFETs
Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel Typical Turn-Off Delay Time: 4.9 ns, 17 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.1 ns, 8 ns Width: 3.9 mm
Unit Weight: 0.019048 oz

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.0%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

データシート PDF

暫定仕様書 IRF9389TRPBF PDF ダウンロード

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • IPD30N10S3L-34

    IPD30N10S3L-34

    Infineon

    Automotive-grade N-channel transistor MOSFET with ...

  • BUP314D

    BUP314D

    Infineon

    42A I(C), 1200V V(BR)CES Insulated Gate Bipolar Tr...

  • BSM50GX120DN2

    BSM50GX120DN2

    Infineon

    Integrated Circuit Dual 4X1 16TSSOP Multiplexer

  • SPW47N65C3

    SPW47N65C3

    Infineon

    Discover unparalleled quality and innovation in th...

  • SPW47N60CFD

    SPW47N60CFD

    Infineon

    TO-247 MOSFET, 600V N-channel, 46A Continuous Drai...

  • SPW47N60C3

    SPW47N60C3

    Infineon

    SPW47N60C3: Transistor, unipolar N-MOSFET, 650V, 4...