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Infineon IPT60R028G7XTMA1

Name: IPT60R028G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies Corporation
Rating: 4.8 (6 reviews)

High-voltage, high-current MOSFET transistor for demanding tasks

ブランド: Infineon Technologies Corporation

製造元部品 #: IPT60R028G7XTMA1

データシート: IPT60R028G7XTMA1 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: PG-HSOF-8

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,627 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$13.960	$13.960
200	$5.402	$1080.400
500	$5.213	$2606.500
1000	$5.119	$5119.000

在庫あり: 3,627 PCS

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IPT60R028G7XTMA1 概要

In the realm of high-power electronics, the IPT60R028G7XTMA1 MOSFET stands out as a superior component for demanding applications. With a N channel design, this MOSFET boasts a impressive drain source voltage of 600V and a continuous drain current of 75A, making it a reliable choice for high-power circuits. Its surface mount Hsof-8 package enables easy integration into circuit boards, ensuring efficient heat dissipation. The Rds(On) test voltage of 10V guarantees low power loss and high performance, while the gate source threshold voltage max of 4V provides precise control over the switching characteristics. Furthermore, this MOSFET is RoHS compliant, underscoring its commitment to environmentally responsible manufacturing processes

特徴

Gives best-in-class FOM R DS(on)xE oss and R DS(on)xQ G
Enables best-in-class R DS(on) in smallest footprint
Inbuilt 4 th pin Kelvin source configuration and low parasitic source inductance (~1nH)
Is MSL1 compliant, total Pb-free, has easy visual inspection grooved leads
Enables improved thermal performance R th
Higher efficiency due to the improved C7 Gold technology and faster switching due to the package low parasitic source inductance and the 4pin Kelvin source concept
Improved power density due to low R DS(on) in small footprint, by either replacing TO-packages (height restrictions) or paralleling SMD packages due to thermal or R DS(on) requirements
Production cost reduction by moving to SMD through quicker assembly times

応用

Telecom
Server
Solar
Industrial SMPS

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer:	Infineon	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Y	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	HSOF-8
Number of Channels:	1 Channel	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V	Id - Continuous Drain Current:	75 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	28 mOhms	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	20 V	Qg - Gate Charge:	123 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	391 W	Configuration:	Single
Channel Mode:	Enhancement	Packaging:	Reel
Series:	CoolMOS G7	Brand:	Infineon Technologies
Fall Time:	2.8 ns	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	9 ns	Factory Pack Quantity:	2000
Subcategory:	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time:	100 ns
Typical Turn-On Delay Time:	28 ns	Part # Aliases:	IPT60R028G7 SP001579312
Tags	IPT60R028, IPT60R02, IPT60R0, IPT60, IPT6, IPT	RHoS	yes
PBFree	yes

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フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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