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Infineon IPP65R125C7 48HRS

TO-220 packaged N-channel MOSFET rated for 650 volts

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon

製造元部品 #: IPP65R125C7

データシート: IPP65R125C7 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-220

RoHS ステータス:

在庫状況: 8,348 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
1 $4.472 $4.472
10 $3.905 $39.050
30 $3.568 $107.040
100 $3.229 $322.900
500 $3.071 $1535.500
1000 $3.000 $3000.000

在庫あり: 8,348 PCS

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IPP65R125C7 概要

When it comes to high efficiency and performance in electronic applications, the IPP65R125C7 power MOSFET transistor is second to none. With a voltage rating of 650V and a current rating of 125A, this transistor is well-suited for high power circuits such as motor drives, power supplies, and inverters. Its low on-resistance of 0.08 ohms ensures efficient power conversion with minimal losses, while its C7 CoolMOS technology allows for improved switching performance and thermal management. Furthermore, its high avalanche capability makes it robust and reliable under heavy load conditions. The TO-220 package design of the IPP65R125C7 adds to its appeal, providing easy mounting and integration into existing electronic systems for a wide range of power applications

特徴

  • Ultra-fast body diode
  • Very high commutation ruggedness
  • Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss
  • Easy to use/drive
  • ​​​​​​​ Qualified for industrial grade applications according to JEDEC
  • (J-STD20 and JESD22)
  • Pb-free plating, Halogen free mold compound

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer Infineon Product Category MOSFET
RoHS Details Technology Si
Mounting Style Through Hole Package / Case TO-220-3
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 650 V Id - Continuous Drain Current 18 A
Rds On - Drain-Source Resistance 111 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 3 V Qg - Gate Charge 35 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 101 W Channel Mode Enhancement
Tradename CoolMOS Series CoolMOS C7
Brand Infineon Technologies Configuration Single
Fall Time 8 ns Height 15.65 mm
Length 10 mm Product Type MOSFET
Rise Time 15 ns Factory Pack Quantity 500
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time 71 ns Typical Turn-On Delay Time 14 ns
Width 4.4 mm Part # Aliases SP001080132 IPP65R125C7XKSA1
Unit Weight 0.068784 oz

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DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
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