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Infineon IPP041N12N3G

Name: IPP041N12N3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

IPP041N12N3 G is a N-channel MOSFET with 120V voltage rating, 120A current rating, and TO220-3 package from the OptiMOS 3 series

ブランド: Infineon

製造元部品 #: IPP041N12N3G

データシート: IPP041N12N3G Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO-220

RoHS ステータス:

在庫状況: 2,388 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPP041N12N3G 概要

The IPP041N12N3 G is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high-efficiency power conversion applications. Manufactured by Infineon Technologies, it belongs to the CoolMOS™ N-channel series, renowned for its robust performance and reliability in various power supply designs.Here are the key details:1. **Part Number**: IPP041N12N3 G2. **Manufacturer**: Infineon Technologies3. **Type**: N-channel power MOSFET4. **Application**: Suitable for high-efficiency power conversion applications such as power supplies, motor control, and lighting.5. **Features**: Offers low switching and conduction losses, enabling high-efficiency power conversion. It is optimized for fast switching, reducing power dissipation and improving overall system efficiency.6. **Voltage and Current Ratings**: With a voltage rating of 1200V and a continuous drain current rating of 41A, it is capable of handling high-power applications.7. **Package Type**: Typically available in TO-220 FullPAK package, providing good thermal performance and ease of mounting on a heatsink.8. **Datasheet**: Detailed specifications, electrical characteristics, and application information can be found in the datasheet provided by Infineon Technologies.

特徴

The IPP041N12N3 G is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 1200V and a continuous drain current of 79A

It features low on-state resistance (0

041 ohms) and fast switching characteristics, suitable for high-power applications like motor control, power supplies, and inverters

Additionally, it offers robust thermal performance and reliability

応用

The IPP041N12N3 G is a power MOSFET commonly used in various applications requiring high power efficiency and switching capabilities

It finds application in motor control, power supplies, inverters, and DC-DC converters

Its low on-resistance and high current-handling capabilities make it suitable for use in high-power electronics where energy efficiency and reliability are crucial

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
IDpuls max	480.0 A	Ptot max	300.0 W
VDS max	120.0 V	Package	TO-220
Polarity	N	RDS (on) max	4.1 mΩ
ID max	120.0 A	VGS(th) max	4.0 V
VGS(th) min	2.0 V	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
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	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

同等部品

のために IPP041N12N3G コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:

部品番号

ブランド

パッケージ

説明

部品番号 : FCPF041N12N3

ブランド :

パッケージ :

説明 : from Fairchild Semiconductor

部品番号 : BSC092N12NS3

ブランド :

パッケージ :

説明 : G from Infineon Technologies

部品番号 : CSD18540Q5B

ブランド : Texas Instruments

パッケージ :

説明 :

部品番号 : IRFP4468PBF

ブランド :

パッケージ : TO-247

説明 : MOSFET MOSFT 100V 290A 2.6mOhm 360nC Qg

パーツポイント

IPP041N12N3G is a power MOSFET chip manufactured by Infineon. It is designed for high-power applications in areas such as automotive, industrial, and consumer electronics. The chip offers low on-resistance, high current handling capability, and a rugged design. It is suitable for various applications that require efficient power management and switching functions.
Equivalent

There are no direct equivalent products to the IPP041N12N3G chip as it is a specific model and cannot be replaced with another chip. However, there are alternative power MOSFETs available in the market that can be used for similar applications.
Features

IPP041N12N3G is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 1200V and a current rating of 41A. It has a low on-resistance of 0.026 ohms, allowing for efficient power conversion. The transistor offers improved thermal resistance for higher power dissipation, enabling reliable operation. It is suitable for various applications like motor control, power supplies, and inverters.
Pinout

The IPP041N12N3G is a power MOSFET transistor with a TO-220 package. It has three pins: gate, drain, and source. The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins.
Manufacturer

Infineon Technologies is the manufacturer of the IPP041N12N3G. Infineon is a German semiconductor company that specializes in the development and production of various electronic components, including power management devices, microcontrollers, and sensors.
Application Field

The IPP041N12N3G is a power transiEencer typically used in applications such as industrial drives, telecom power supplies, renewable energy systems, and various other high-power applications that require efficient switching and low conduction losses.
Package

The IPP041N12N3G chip is packaged in a TO-220 form and has a size of approximately 10.4mm x 15.7mm x 4.6mm.