このウェブサイトは Cookie を使用しています。このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。詳細については、こちらをご覧くださいプライバシーポリシー.

画像は参考用です。製品仕様を参照してください。

注文金額が

$5000

得る $50 割引 !

Infineon IPD600N25N3 G

Name: IPD600N25N3 G
Brand: Infineon
Rating: 4.8 (10 reviews)

With its N-channel Trans MOSFET architecture, this part offers excellent switching performance and low noise operation

ブランド: Infineon

製造元部品 #: IPD600N25N3 G

データシート: IPD600N25N3 G データシート (PDF)

パッケージ/ケース: DPAK

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,623 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
1	$2.787	$2.787
10	$2.429	$24.290
30	$2.216	$66.480
100	$1.921	$192.100
500	$1.822	$911.000
1000	$1.777	$1777.000

在庫あり: 7,623 PCS

- +

簡単な見積もり

RFQを提出してください IPD600N25N3 G またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

量^*

Eメール^*

連絡先^*

会社

述べる

IPD600N25N3 G 概要

Housed in a TO-274 package, the IPD600N25N3 G features low thermal resistance, allowing for efficient heat dissipation and reliable operation even under high-power conditions. Its high switching speeds and low gate charge make it suitable for high-frequency switching applications, while built-in protection features such as overcurrent and overtemperature protection ensure safe and dependable performance in all operating conditions

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Manufacturer	Infineon	Product Category	MOSFET
RoHS	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor Polarity	N-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	250 V	Id - Continuous Drain Current	25 A
Rds On - Drain-Source Resistance	51 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V	Qg - Gate Charge	29 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	136 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	OptiMOS	Series	OptiMOS 3
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	8 ns	Forward Transconductance - Min	24 S
Height	2.3 mm	Length	6.5 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	10 ns
Factory Pack Quantity	2500	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Type	OptiMOS 3 Power Transistor
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns	Typical Turn-On Delay Time	10 ns
Width	6.22 mm	Part # Aliases	SP000676404 IPD600N25N3GBTMA1
Unit Weight	0.011640 oz	Product Status	Obsolete
FET Type	N-Channel	Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)	Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 25A, 10V	Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 90µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2350 pF @ 100 V	Power Dissipation (Max)	136W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。