注文金額が
$5000Infineon IPB60R199CP
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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ブランド: Infineon Technologies Corporation
製造元部品 #: IPB60R199CP
データシート: IPB60R199CP Datasheet (PDF)
パッケージ/ケース: TO-263
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
IPB60R199CP 概要
N-Channel 600 V 16A (Tc) 139W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
![ipb60r199cp ipb60r199cp](/files/uploads/product/b/ipb60r199cp20170105141142_8276.jpg)
特徴
- It has a drain-source voltage rating of 650V
- It has a maximum continuous drain current rating of 60A
- It has a low on-resistance of 0.033 ohms
- It has a fast switching capability
- It is designed with a high di/dt capability, which makes it suitable for use in high-frequency switching applications
応用
- AC-DC power supplies
- DC-DC converters
- Motor control
- Lighting applications
- Solar inverters
- Uninterruptible power supplies (UPS)
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
feature-process-technology | CoolMOS | feature-configuration | Single |
feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 650 |
feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
feature-maximum-continuous-drain-current-a | 16 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 199@10V |
feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 32@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 32 |
feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1520@100V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
feature-maximum-power-dissipation-mw | 139000 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
feature-supplier-package | D2PAK | feature-standard-package-name1 | TO-263 |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
feature-escc-qualified | feature-military | No | |
feature-aec-qualified | No | feature-aec-qualified-number | |
feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc | Yes |
feature-svhc-exceeds-threshold | Yes |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
---|---|---|
![]() |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
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クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
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ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
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送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
同等部品
のために IPB60R199CP コンポーネントの場合は、これらの交換部品および代替部品を検討してください:
部品番号
ブランド
パッケージ
説明
部品番号 : IRF7406
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : IRF7470
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : IRF7749L1TRPBF
ブランド :
パッケージ : DirectFET-15
説明 : Trans MOSFET N-CH Si 60V 33A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
部品番号 : BSC039N06NSATMA1
ブランド :
パッケージ : PG-TDSON-8
説明 : N-Channel 60 V 3.9 mOhm OptiMOS?Power-MOSFET - PG-TDSON-8
部品番号 : STP45NF06L
ブランド :
パッケージ :
説明 :
部品番号 : IXTP120N065T2
ブランド :
パッケージ :
説明 :
パーツポイント
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The IPB60R199CP chip is a power MOSFET transistor designed for high voltage applications. It offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for various industrial and automotive purposes. This chip is built with advanced technology, providing improved performance and thermal characteristics compared to traditional MOSFETs. Its compact size allows for space-saving designs, making it a popular choice among engineers and manufacturers.
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Equivalent
Some equivalent products of the IPB60R199CP chip are the IPB60R190CFD, IPD60R199CP, IPB60R099CP, and IPP60R099C6. -
Features
The IPB60R199CP is a 650V CoolMOS CP Power Transistor with low specific on-resistance (RDS(on)) and high power density, making it suitable for various applications. It offers improved efficiency, excellent thermal performance, and reliable operation in demanding environments. -
Pinout
The IPB60R199CP is a power MOSFET transistor with a TO-263-7 package. It has 7 pins, including 3 gate pins (G), 2 source pins (S), and 2 drain pins (D). The pin count and function are essential for proper connection and control of the device in power applications. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPB60R199CP. It is a multinational semiconductor manufacturer that specializes in producing power semiconductors, MEMS (micro-electro-mechanical systems), and sensors. -
Application Field
The IPB60R199CP is a power MOSFET transistor used in various applications such as industrial motor drives, power supplies, inverters, and lighting systems. It offers low on-resistance and high energy efficiency, making it suitable for high-power applications that require reliable and efficient switching performance. -
Package
The IPB60R199CP chip has a TO-263 package type, a rectangular form, and a size of 10.5mm x 14mm.
データシート PDF
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