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Infineon IPB160N04S3-H2

Name: IPB160N04S3-H2
Brand: INFINEON
Rating: 4.8 (10 reviews)

OptiMOS-T MOSFET in D2PAK-6 package, with a N-Channel 40V 160A rating

ブランド: INFINEON

製造元部品 #: IPB160N04S3-H2

データシート: IPB160N04S3-H2 Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: TO263-7

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,212 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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*すべての価格は米ドルです

数量	単価	外部価格
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200	$1.528	$305.600
500	$1.473	$736.500
1000	$1.447	$1447.000

在庫あり: 3,212 PCS

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IPB160N04S3-H2 概要

The IPB160N04S3-H2 power MOSFET transistor is a top-of-the-line solution for high power applications, offering exceptional performance and reliability. With a voltage rating of 40V and a continuous current capacity of 160A, this device is well-suited for demanding tasks that require robust power handling capabilities. Utilizing state-of-the-art technology, it boasts a remarkably low on-resistance of 1.5mΩ at a gate-source voltage of 10V, ensuring efficient power conduction and minimal energy wastage

特徴

It is an N-channel MOSFET transistor.
It has a maximum drain-source voltage of 40V.
It has a maximum continuous drain current of 160A.
It has a low on-resistance of 1.7mΩ at 10V gate voltage.

応用

Switching power supplies and converters
Motor control systems
DC-DC converters
Uninterruptible Power Supplies (UPS)
Solar inverters
Battery management systems

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Ptot max	214.0 W	RthJC max	0.7 K/W
IDpuls max	640.0 A	Qualification	Automotive
Package	D2PAK (PG-TO263-7)	VDS max	40.0 V
VGS(th) min	2.1 V	Polarity	N
RDS (on) max	2.1 mΩ	VGS(th) max	4.0 V
QG max	110.0 nC	ID max	160.0 A
Technology	OptiMOS™-T	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
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	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IPB160N04S3-H2 chip is a power MOSFET designed for low voltage applications. It features a low resistance and a compact design, making it suitable for various electronic devices. This chip offers high performance and efficiency, enabling it to handle large currents and minimize power loss. It is commonly used in power supplies, motor control circuits, and automotive systems.
Features

The IPB160N04S3-H2 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage rating of 40V, a continuous drain current of 160A, and a low on-resistance of 1.7mΩ. It features a logic-level gate drive, making it compatible with low-voltage control signals. The transistor is suitable for high-power and high-efficiency applications such as power supplies, motor controls, and DC-DC converters.
Pinout

The IPB160N04S3-H2 is a MOSFET transistor with a pin count of 3. It serves as a power switch in electronic circuits, controlling the flow of current. The pin function for this transistor includes the drain pin (connected to the load), source pin (connected to the ground), and gate pin (used to control the switching of the transistor).
Manufacturer

The manufacturer of the IPB160N04S3-H2 is Infineon Technologies AG. Infineon is a multinational semiconductor manufacturer based in Germany. It specializes in producing a wide range of semiconductor products, including power electronics, sensors, microcontrollers, and security solutions.
Application Field

The IPB160N04S3-H2 is a power MOSFET primarily used in power supplies, motor control, and automotive applications. Due to its low on-resistance and high current capability, it is also suitable for other high-power switching applications where efficient power handling is required.
Package

The IPB160N04S3-H2 chip is packaged in a Power-SO-8 form with a size of 5 mm x 6 mm.