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Infineon IMZ120R030M1HXKSA1

Product IMZ120R030M1HXKSA1 is a N Channel TO-247-4-1 MOSFET with a voltage rating of 1

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Infineon

製造元部品 #: IMZ120R030M1HXKSA1

データシート: IMZ120R030M1HXKSA1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO-247-4

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

RoHS ステータス:

在庫状況: 9,458 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IMZ120R030M1HXKSA1 概要

N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-1

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: SiC
Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-247-4
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 1.2 kV Id - Continuous Drain Current: 56 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 40 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 7 V, + 23 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 5.7 V Qg - Gate Charge: 63 nC
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 227 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: CoolSiC Series: IMZ120R030
Packaging: Tube Brand: Infineon Technologies
Configuration: Single Fall Time: 11.5 ns
Forward Transconductance - Min: 14 S Product Type: MOSFET
Rise Time: 11.6 ns Factory Pack Quantity: 240
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 17.3 ns Typical Turn-On Delay Time: 7.7 ns
Part # Aliases: IMZ120R030M1H SP001727394

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品

    ステップ1 :製品

  • 真空包装

    ステップ2 :真空包装

  • 静電気防止袋

    ステップ3 :静電気防止袋

  • 個包装

    ステップ4 :個包装

  • 梱包箱

    ステップ5 :梱包箱

  • バーコード配送タグ

    ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • The IMZ120R030M1HXKSA1 chip is a semiconductor device used for various applications such as power management and voltage regulation in electronic devices. It is designed to provide efficient and reliable performance with low power consumption. The chip integrates multiple features and functions, making it suitable for a wide range of applications in different industries.
  • Features

    IMZ120R030M1HXKSA1 is an insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module. It features high current capability, low power loss, and low saturation voltage. It operates at a voltage of 1200V, a current rating of 30A, and has a built-in temperature sensor for thermal monitoring.
  • Pinout

    The IMZ120R030M1HXKSA1 does not have a standard pin count as it refers to a specific part number for an electronic component. The specific pin count and function would depend on the datasheet and technical specifications provided by the manufacturer.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the IMZ120R030M1HXKSA1 is Infineon Technologies AG. It is a multinational semiconductor and system solutions company.
  • Application Field

    The IMZ120R030M1HXKSA1 is a power module primarily used in motor control applications, particularly in the automotive industry. It is designed to provide high power density with high efficiency and reliability, making it suitable for electric and hybrid electric vehicles, as well as other industrial and consumer applications that require efficient motor control.
  • Package

    The IMZ120R030M1HXKSA1 chip has a package type of D²PAK, a form of Integrated Circuit (IC), and a size of 10.3x17.8 mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

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