注文金額が
$5000Infineon IKW75N60TFKSA1
Trans IGBT Chip N-Channel 600V 80A 428W 3-Pin TO-247 Tube
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
ブランド: Infineon
製造元部品 #: IKW75N60TFKSA1
データシート: IKW75N60TFKSA1 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-247-3
製品の種類: Single IGBTs
IKW75N60TFKSA1 概要
The TO-247 package type of the IKW75N60TFKSA1 transistor ensures easy through-hole mounting for secure and reliable connections. With a gate-emitter voltage (Vge) rating of 20V, this transistor can be easily controlled with standard drive circuits. The operating temperature range of -40°C to 175°C allows for operation in a wide range of environments, making it suitable for industrial and automotive applications
特徴
- Premium materials for extended lifespan
- Robust construction for harsh environments
- Flexible design for various applications
- Real-time monitoring and control possible
- Easy integration with existing systems
- State-of-the-art manufacturing process used
応用
- Green technology
- Electric cars
- Smart grids
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Package / Case: | TO-247-3 | Mounting Style: | Through Hole |
Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A | Pd - Power Dissipation: | 428 W |
Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Series: | Trenchstop IGBT3 | Packaging: | Tube |
Brand: | Infineon Technologies | Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 240 |
Subcategory: | IGBTs | Tradename: | TRENCHSTOP |
Part # Aliases: | IKW75N60T SP000054889 | Unit Weight: | 0.448015 oz |
Series | TrenchStop® | Package | Tube |
Product Status | Active | IGBT Type | Trench Field Stop |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
Power - Max | 428 W | Switching Energy | 4.5mJ |
Input Type | Standard | Gate Charge | 470 nC |
Td (on/off) @ 25°C | 33ns/330ns | Test Condition | 400V, 75A, 5Ohm, 15V |
Reverse Recovery Time (trr) | 121 ns | Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-247-3 |
Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
![]() |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
---|---|---|
![]() |
電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
![]() |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 |
![]() |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 |
![]() |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
![]() |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。
2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
-
ステップ1 :製品
-
ステップ2 :真空包装
-
ステップ3 :静電気防止袋
-
ステップ4 :個包装
-
ステップ5 :梱包箱
-
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
-
The IKW75N60TFKSA1 is a silicon carbide MOSFET transistor chip designed for high power applications. It offers low on-state resistance, high switching speeds, and high temperature capability. This chip is ideal for use in power converters, motor drives, and other high power electronic systems requiring efficiency and reliability.
-
Equivalent
The equivalent products of IKW75N60TFKSA1 chip are IRG4PH40KD, FCP406N60, IRGS4B60KD, IRG4BC20KD, MaxGW35G, and REFR6060N. These products have similar specifications and can be used as replacements for IKW75N60TFKSA1 in various applications. -
Features
1. N-channel IGBT with fast switching speeds 2. 75A continuous collector current and 600V collector-emitter voltage 3. Low VCE(sat) for efficient power conversion 4. High ruggedness and reliability 5. Suitable for use in high power applications such as motor drives and inverters. -
Pinout
IKW75N60TFKSA1 is a TO-247 package power MOSFET with a pin count of 3 (gate, drain, source). It is designed for high power applications, with a voltage rating of 600V and a current rating of 75A. The device is commonly used in power supplies, motor control, and inverters. -
Manufacturer
IKW75N60TFKSA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. They are a global leader in the production of power semiconductors, sensors, and microcontrollers for a wide range of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
IKW75N60TFKSA1 is a power semiconductor device commonly used in various applications such as motor control, power supplies, lighting, and renewable energy systems. It is suitable for high power switching applications and can handle high voltage and current levels efficiently. -
Package
The IKW75N60TFKSA1 chip is in a TO-247 package type, It is in a module form, and its size is approximately 20.5mm x 40mm x 6mm.
私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します
-
豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。
-
最小注文数量は1個からとなります。
-
最低国際配送料は0.00ドルから
-
全商品365日品質保証