画像は参考用です。製品仕様を参照してください。
注文金額が
$5000Infineon IHW20N120R2
Insulate Gate Bipolar Transistors with 1200V Voltage Rating and 20A Current Capacity
ブランド: Infineon
製造元部品 #: IHW20N120R2
データシート: IHW20N120R2 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-247-3
製品の種類: Single IGBTs
IHW20N120R2 概要
IGBT NPT, Trench Field Stop 1200 V 40 A 330 W Through Hole PG-TO247-3-1
特徴
- Powerful monolithic Body Diode with very low forward voltage
- Body diode clamps negative voltages
- Trench and Fieldstop technology for 1200 V applications offers :
- - very tight parameter distribution
- - high ruggedness, temperature stable behavior
- NPT technology offers easy parallel switching capability due to
- positive temperature coefficient in VCE(sat)
- Low EMI
- Qualified according to JEDEC1 for target applications
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Complete product spectrum and PSpice Models :
仕様
| パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Infineon | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247-3 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A | Pd - Power Dissipation: | 330 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 40 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Packaging: | Tube | Brand: | Infineon Technologies |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 20 A | Height: | 20.95 mm |
| Length: | 15.9 mm | Product Type: | IGBT Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 240 | Subcategory: | IGBTs |
| Width: | 5.3 mm | Part # Aliases: | SP000212015 IHW20N120R2XK |
| Unit Weight: | 1.340411 oz |
配送
| 配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
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登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間：送料は地域や国によって異なります。
支払い
| 支払条件 | ハンドフィー | |
|---|---|---|
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 |
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ペイパル | 4.0％のサービス料がかかります。 |
 |
クレジットカード | 3.5％のサービス料がかかります。 |
 |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. |
 |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。
パッキング
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![製品]( "製品")
ステップ1 :製品
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![真空包装]( "真空包装")
ステップ2 :真空包装
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![静電気防止袋]( "静電気防止袋")
ステップ3 :静電気防止袋
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![個包装]( "個包装")
ステップ4 :個包装
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![梱包箱]( "梱包箱")
ステップ5 :梱包箱
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![バーコード配送タグ]( "バーコード配送タグ")
ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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IHW20N120R2 is a high power MOSFET transistor designed for applications requiring high current and voltage levels. It has a current rating of 20A and a voltage rating of 120V, making it suitable for power electronics and industrial applications. It features low on-state resistance and high switching speed, making it ideal for high efficiency and high frequency applications.
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Equivalent
The equivalent products of IHW20N120R2 chip are Infineon's co-packed IHW20N120R3 and IHW20N120R5 power modules. These chips have similar specifications and performance characteristics, making them suitable replacements for the IHW20N120R2. -
Features
The IHW20N120R2 is a 1200V, 40A IGBT with ultrafast soft recovery diode. It features low VCE(sat), high switching frequency, short-circuit ruggedness, and high ruggedness. It is suitable for applications such as solar inverters, UPS, welding machines, and motor control. -
Pinout
IHW20N120R2 is a 20A, 1200V IGBT with a TO-247 package. It has 3 pins: gate, collector, and emitter. The gate pin controls the switching of the IGBT, while the collector and emitter pins carry the current flow. -
Manufacturer
IHW20N120R2 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon specializes in manufacturing power semiconductors, microcontrollers, and sensors for a variety of industries, including automotive, industrial, and renewable energy. -
Application Field
IHW20N120R2 is commonly used in high power switching applications such as motor control, uninterruptible power supplies (UPS), welding equipment, and renewable energy systems. It is also utilized in industrial applications requiring high efficiency and reliability. -
Package
The IHW20N120R2 chip is a high-power IGBT module with a package type of TO-247 and a form of power module. Its size is 34.0mm x 16.5mm x 8.3mm.
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