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IDH10G65C6XKSA1

Name: IDH10G65C6XKSA1
Brand: Infineon Technologies
Rating: 4.8 (10 reviews)

Schottky SiC rectifier diode with 650V voltage rating and 24A current capacity in TO-220 package

ブランド: Infineon Technologies

製造元部品 #: IDH10G65C6XKSA1

データシート: IDH10G65C6XKSA1 データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TO220-2

製品の種類: Single Diodes

RoHS ステータス:

在庫状況: 6,902 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IDH10G65C6XKSA1 概要

Diode 650 V 24A Through Hole PG-TO220-2

特徴

Robust construction
Safe and reliable operation
Minimal maintenance required
Long lifespan ensured
Noise-free operation guaranteed
Ergonomic design for comfort

応用

Integrated solutions
Customizable options
Cost-effective choices

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Package	Tube	Product Status	Active
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky	Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	24A	Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 10 A
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)	Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	33 µA @ 420 V	Capacitance @ Vr, F	495pF @ 1V, 1MHz
Mounting Type	Through Hole	Package / Case	TO-220-2
Supplier Device Package	PG-TO220-2	Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Base Product Number	IDH10G65

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The IDH10G65C6XKSA1 chip is a high-power, high-frequency insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module designed for use in industrial applications such as power converters and motor control. It features a voltage rating of 650V, a current rating of 10A, and is equipped with a heat sink for efficient thermal management.
Equivalent

The equivalent products of IDH10G65C6XKSA1 chip are IDH10G65C6XKSA2, IDH10G65C6XKSA3, and IDH10G65C6XKSA4.
Features

1. 650V, 10A, Single Channel IGBT 2. High switching frequency capability 3. Low VCE(sat) 4. Low inductance VCE(sat) voltage overshoot during turn-off 5. Kelvin emitter for easy drive lossless gate configuration 6. RBSOA and SCSOA rated 7. 6th generation Trench IGBT technology 8. UL and RoHS compliant
Pinout

The IDH10G65C6XKSA1 is a 65-pin high-speed digital Isolation device. It provides isolation for 10 channels, offering protection against high voltages and noise in communication systems. The device helps ensure signal integrity while reducing electromagnetic interference.
Manufacturer

IDH10G65C6XKSA1 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and control electronics. They are known for producing a wide range of products including microcontrollers, power ICs, sensors, and automotive solutions.
Application Field

IDH10G65C6XKSA1 is a high-voltage insulated-gate bipolar transistor (IGBT) commonly used in industrial applications, such as motor control, renewable energy systems, and power supplies. Its high voltage and current capabilities make it suitable for demanding applications that require high power efficiency and reliability.
Package

The IDH10G65C6XKSA1 chip comes in a module package type with a size of 47mm x 25mm. It is a high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) in a 6th generation S-series IGBT form, capable of handling 1,200V and 20A.