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TOSHIBA HN4B102J

Name: HN4B102J
Brand: Toshiba
Rating: 4.8 (10 reviews)

Bipolar Transistors with BJT Technology

ブランド: Toshiba

製造元部品 #: HN4B102J

データシート: HN4B102J データシート (PDF)

パッケージ/ケース: SOT-25-5

製品の種類: Single Bipolar Transistors

RoHS ステータス:

在庫状況: 7,981 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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HN4B102J 概要

MOS Gate Drive ApplicationsSwitching Applications• Small footprint due to a small and thin package• High DC current gain : PNP hFE = 200 to 500 (IC =－0.2 A) : NPN hFE = 200 to 500 (IC = 0.2 A)• Low collector-emitter saturation : PNP VCE (sat) =－ 0.20 V (max) : NPN VCE (sat) = 0.14 V (max)• High-speed switching : PNP tf = 40 ns (typ.) : NPN tf = 45 ns (typ.)

特徴

Improved noise reduction
Advanced circuit design
Faster data transfer rates

応用

Consumer electronics: Making life easier at home

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-25-5	Transistor Polarity	NPN, PNP
Configuration	Dual	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V
Collector- Base Voltage VCBO	60 V, 30 V	Emitter- Base Voltage VEBO	7 V
Maximum DC Collector Current	8 A	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	HN4B102
Brand	Toshiba	Continuous Collector Current	- 1.8 A, 2 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	200	DC Current Gain hFE Max	500
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors

配送

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TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
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登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

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