このウェブサイトは Cookie を使用しています。 このサイトを使用すると、Cookie の使用に同意したことになります。 詳細については、こちらをご覧ください プライバシーポリシー.

注文金額が

$5000
得る $50 割引 !

ON F59L1G81LA-25TG2Y 48HRS

Boosting storage capacity and performanc

ISO14001 ISO9001 DUNS

ブランド: Elite Semiconductor Memory Technology Inc

製造元部品 #: F59L1G81LA-25TG2Y

データシート: F59L1G81LA-25TG2Y データシート (PDF)

パッケージ/ケース: TSOP-48

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,589 個、新しいオリジナル

製品の種類: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

価格設定

*すべての価格は米ドルです

数量 単価 外部価格
1 $2.260 $2.260
10 $2.034 $20.340
100 $1.808 $180.800
500 $1.582 $791.000
960 $1.130 $1084.800

在庫あり: 3,589 PCS

- +

Total : $2.260

excl. VAT

*オンライン注文の対象となる商品は 1 ~ 2 営業日以内に発送されます。正確な発送時間についてはお問い合わせください。

簡単な見積もり

RFQを提出してください F59L1G81LA-25TG2Y またはメールでご連絡ください: Eメール: [email protected], 12時間以内にご連絡させていただきます。

Ovaga の在庫が豊富にあります F59L1G81LA-25TG2Y Single FETs, MOSFETs から Elite Semiconductor Memory Technology Inc そして、それらが直接調達されたオリジナルの真新しい部品であることを保証します Elite Semiconductor Memory Technology Inc 品質テストレポートを提供できます。 F59L1G81LA-25TG2Y ご要望に応じて。 見積もりを取得するには、右側のクイック見積もりフォームに必要な数量、連絡先名、電子メール アドレスを入力するだけです。 弊社営業担当より12時間以内にご連絡させていただきます。

F59L1G81LA-25TG2Y

仕様

パラメータ 価値 パラメータ 価値
Density 1Gbit Organization 128M x 8
Speed 25ns Voltage - Supply 2.7 V ~ 3.6 V
Operating Temperature -40°C ~ 85°C

配送

配送タイプ 配送料 リードタイム
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
Fedex フェデックス $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々
登録された航空便 登録された航空便 $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 日々

処理時間:送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件 ハンドフィー
電信送金 電信送金 銀行手数料 US$30.00 を請求します。
ペイパル ペイパル 4.5%のサービス料がかかります。
クレジットカード クレジットカード 3.5%のサービス料がかかります。
ウエスタンユニオン ウエスタンユニオン charge US.00 banking fee.
送金サービス 送金サービス 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。 ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

  • 製品在庫

    ステップ1 :製品在庫

  • 圧力緩和包装

    ステップ2 :圧力緩和包装

  • 静電気防止包装

    ステップ3 :静電気防止包装

  • 保護包装

    ステップ4 :保護包装

  • 密封包装

    ステップ5 :密封包装

  • 出荷準備

    ステップ6 :出荷準備

出荷前にすべての商品を検査して数え、すべての製品が無傷で正確な数量であることを確認し、輸送中に損傷しないように完全に梱包します。

  • ESD
  • ESD

パーツポイント

  • F59L1G81LA-25TG2Y is a chip used in electronic devices for storing data. It has a memory capacity of 1 Gb (gigabit) and operates at a speed of 25 ns (nanoseconds). The chip is designed to be used with a dual voltage supply, allowing for better performance and efficiency. It is commonly used in applications such as smartphones, tablets, and other computing devices.
  • Features

    The F59L1G81LA-25TG2Y is a 1 Gb SDR SDRAM chip with 8 banks and 4 bits pre-fetch architecture. It operates at a voltage of 2.5V and provides a maximum clock frequency of 166 MHz. It supports burst read and burst write operations, as well as page access mode.
  • Pinout

    The F59L1G81LA-25TG2Y is a 512Mb SDRAM with a pin count of 96. It features a synchronous interface and operates at a speed of 250 MHz.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the F59L1G81LA-25TG2Y is Samsung Electronics. Samsung Electronics is a multinational electronics company based in South Korea. It specializes in the production of various consumer electronics, such as smartphones, televisions, home appliances, and memory chips like the F59L1G81LA-25TG2Y.
  • Application Field

    The F59L1G81LA-25TG2Y is a NAND Flash memory chip commonly used in various electronic devices, including smartphones, tablets, digital cameras, solid-state drives (SSDs), and other portable devices. It is designed to provide high-density storage and fast data access, making it suitable for applications that require reliable and high-performance data storage solutions.
  • Package

    The F59L1G81LA-25TG2Y chip has a BGA package type, with a form factor of 11.0 mm x 13.0 mm, and a size of 143 square mm.

私たちは高品質の製品、思いやりのあるサービス、販売後の保証を提供します

  • 製品

    豊富な商品を取り揃えておりますので、お客様の様々なニーズにお応え致します。

  • quantity

    最小注文数量は1個からとなります。

  • shipping

    最低国際配送料は0.00ドルから

  • 保証

    全商品365日品質保証

評価とレビュー

評価
製品を評価してください。
コメントを入力してください

コメントはアカウントにログインしてから送信してください。

提出する

推薦する

  • SUD40N06-25L

    SUD40N06-25L

    Vishay

    The SUD40N06-25L MOSFET is designed for high power...

  • IRF9130

    IRF9130

    Infineon

    IRF9130: P-Type MOSFET, 100V, 11A, TO-3 Package

  • ULN2804AN

    ULN2804AN

    texas instruments

    18-pin DIP package

  • LM394BH

    LM394BH

    texas instruments

    LM394BH is a type of bipolar junction transistor (...

  • IRFF130

    IRFF130

    Infineon

    TO-39 N-channel Transistor, 100V 8A

  • SI4888DY

    SI4888DY

    Vishay

    Metal-oxide Semiconductor FET N-Channel Power Fiel...