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ON ESDM3051N2T5G

Name: ESDM3051N2T5G
Rating: 4.5 (6 reviews)

5.0 V Diode for ESD Protection

ブランド: ON Semiconductor, LLC

製造元部品 #: ESDM3051N2T5G

データシート: ESDM3051N2T5G Datasheet (PDF)

パッケージ/ケース: X2DFN-2

製品の種類: TVSダイオード

RoHS ステータス:

在庫状況: 3,202 個、新しいオリジナル

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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ESDM3051N2T5G 概要

With its cutting-edge design and advanced capabilities, the ESDM3051N2T5G offers unparalleled protection for voltage sensitive components. Its exceptional clamping capability, low capacitance, low leakage, and fast response time set it apart as a top-tier choice for ESD protection. Designed with efficiency and performance in mind, this product is the ideal solution for applications where space is a premium. Ensure the safety and reliability of your designs with the ESDM3051N2T5G, the ultimate choice for dependable ESD protection

特徴

High-Speed Operation, 10 Mbps
Fault-Tolerant Design
Low Power Consumption

応用

Keypad Protection
Heat Sink Protection
Wireless Antenna Protection

仕様

パラメータ	価値	パラメータ	価値
Tags	ESDM30, ESDM3, ESDM, ESD

配送

	配送料	リードタイム
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
フェデックス	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々
登録された航空便	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 日々

処理時間：送料は地域や国によって異なります。

支払い

支払条件		ハンドフィー
	電信送金	銀行手数料 US$30.00 を請求します。
	ペイパル	4.0％のサービス料がかかります。
	クレジットカード	3.5％のサービス料がかかります。
	ウエスタンユニオン	charge US.00 banking fee.
	送金サービス	銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。

保証

1.購入した電子部品には365日保証が含まれており、製品の品質を保証します。

2.受け取った商品の一部が完璧な品質ではない場合、当社は責任を持って返金または交換を手配します。ただし、商品は元の状態のままでなければなりません。

パッキング

ステップ1 :製品
ステップ2 :真空包装
ステップ3 :静電気防止袋
ステップ4 :個包装
ステップ5 :梱包箱
ステップ6 :バーコード配送タグ

すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。

社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。

私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。

すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。

パーツポイント

The ESDM3051N2T5G is a high-voltage, bidirectional, transient voltage suppression (TVS) diode designed to provide protection for sensitive electronic components from voltage transients induced by electrostatic discharge (ESD), lightning surges, and other transient voltage events. It features a low clamping voltage, low leakage current, and fast response time, making it suitable for a wide range of applications including automotive, industrial, and consumer electronics.
Equivalent

The equivalent products of ESDM3051N2T5G chip are ESDM3151N2T5G, ESDM5171N2T5G, and ESDM3051N2T5G-ckt from ON Semiconductor. These chips are designed for ESD protection and provide similar features and performance characteristics to the ESDM3051N2T5G chip.
Features

- High surge capability up to 1500 watts - Low clamping voltage - ESD protection for high-speed data lines - Ultra-low capacitance of 0.2pF (typical) - RoHS compliant and AEC-Q101 qualified for automotive applications
Pinout

The ESDM3051N2T5G is a diode array with a pin count of 6. It is designed to protect sensitive equipment against electrostatic discharge (ESD) and electrical fast transients (EFT). The device also provides EMI/RFI filtering for high-speed data lines.
Manufacturer

The manufacturer of the ESDM3051N2T5G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a semiconductor supplier, designing and manufacturing a range of semiconductor components for various applications including power management, automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The ESDM3051N2T5G is commonly used in electronic devices to protect sensitive components from damage caused by electrostatic discharge (ESD). It is often used in applications such as smartphones, tablets, laptops, and other portable electronic devices. It provides superior ESD protection for high-speed data lines to ensure reliable performance and longevity of the devices.
Package

The ESDM3051N2T5G chip is packaged in a surface mount device (SMD) form, specifically in tape and reel packaging. It has a size of 2.9mm x 3.0mm x 0.89mm, making it compact and suitable for various electronic applications.