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$5000NEXPERIA BST82,215
BST82 Series 100 V 10 Ohm 0.83 W N-Channel Silicon Surface Mount MOSFET - SOT-23
ブランド: NEXPERIA
製造元部品 #: BST82,215
データシート: BST82,215 データシート (PDF)
パッケージ/ケース: TO-236AB
RoHS ステータス:
在庫状況: 9,178 個、新しいオリジナル
製品の種類: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*すべての価格は米ドルです
数量 | 単価 | 外部価格 |
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5 | $0.161 | $0.805 |
50 | $0.129 | $6.450 |
150 | $0.116 | $17.400 |
500 | $0.099 | $49.500 |
3000 | $0.091 | $273.000 |
6000 | $0.087 | $522.000 |
在庫あり: 9,178 PCS
BST82,215 概要
MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:190mA; Drain Source Voltage, Vds:100V; On Resistance, Rds(on):5ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2V ;RoHS Compliant: Yes
仕様
パラメータ | 価値 | パラメータ | 価値 |
---|---|---|---|
Source Content uid | BST82,215 | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | NEXPERIA | Part Package Code | TO-236 |
Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Pin Count | 3 |
Manufacturer Package Code | SOT23 | Reach Compliance Code | compliant |
ECCN Code | EAR99 | Date Of Intro | 2017-02-01 |
Samacsys Manufacturer | Nexperia | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 80 V | Drain Current-Max (ID) | 0.175 A |
Drain-source On Resistance-Max | 10 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 6 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Operating Temperature-Min | -65 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON | Series | TrenchMOS™ |
Product Status | Not For New Designs | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 150mA, 5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 830mW (Tc) | Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-236AB |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
配送
配送タイプ | 配送料 | リードタイム | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
フェデックス | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 | |
登録された航空便 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 日々 |
処理時間:送料は地域や国によって異なります。
支払い
支払条件 | ハンドフィー | |
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電信送金 | 銀行手数料 US$30.00 を請求します。 | |
ペイパル | 4.0%のサービス料がかかります。 | |
クレジットカード | 3.5%のサービス料がかかります。 | |
ウエスタンユニオン | charge US.00 banking fee. | |
送金サービス | 銀行手数料は 0.00 米ドルかかります。 |
保証
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パッキング
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ステップ1 :製品
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ステップ2 :真空包装
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ステップ3 :静電気防止袋
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ステップ4 :個包装
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ステップ5 :梱包箱
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ステップ6 :バーコード配送タグ
すべての製品は静電気防止袋に梱包されます。 ESD 帯電防止保護を備えた状態で出荷されます。
社外の ESD 梱包ラベルには、部品番号、ブランド、数量などの当社の情報が使用されます。
私たちは出荷前にすべての商品を検査し、すべての製品が良好な状態であることを確認し、部品が新しいオリジナルでデータシートと一致していることを確認します。
すべての商品に問題がないことを確認した後、梱包後、安全に梱包し、グローバルエクスプレスで発送します。 優れた耐穿刺性と耐引裂性を示し、シールの完全性も良好です。
パーツポイント
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The BST82,215 chip is a bipolar junction transistor (BJT) designed for high-speed switching applications. It has a low collector-emitter saturation voltage and high current capability, making it suitable for use in power amplifiers, voltage regulators, and motor control circuits. This chip is commonly used in electronic devices that require efficient and reliable switching operations.
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Equivalent
The equivalent products of BST82,215 chip are NDS356AP, NDS356AP, PST3355, PMT3356, PZT340AD, PST3449, PZT3449, PZT3488. -
Features
- Dual N-channel enhancement mode power MOSFET - Low on-resistance - High input impedance - Fast switching speed - Low gate charge - RoHS compliant - Suitable for high-speed switching applications - Available in a surface-mount package Note: Data provided is subject to change as technology evolves. -
Pinout
BST82 is a dual N-channel enhancement mode MOSFET transistor with a 6-pin package. Pin 1 and Pin 4 are the source pins for the two transistors, Pin 2 and Pin 5 are the gate pins, and Pin 3 and Pin 6 are the drain pins. It is commonly used for low-power switching applications. -
Manufacturer
BST82,215 is manufactured by NXP Semiconductors. NXP Semiconductors is a Dutch-American semiconductor manufacturer, specializing in secure connections and infrastructure for a smarter world. They provide high-performance mixed-signal and standard product solutions that enable secure connections for a smarter world. -
Application Field
BST82,215 transistors are commonly used in RF and microwave applications such as wireless communication systems, radar systems, and power amplifiers. They are also used in applications that require high frequency operation, low noise amplification, and high gain performance. -
Package
The BST82,215 chip is a surface-mount SOT-23 package with a form factor of 3mm x 1.4mm x 1.1mm.
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